Mémoire DDR3 TOROSUS série UDIMM

  • TOROSUS DDR3 Memory UDIMM Series
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Mémoire DDR3 TOROSUS série UDIMM


  • Type de mémoire RAM : DRAM DDR3 ;
  • Type de module DIMM : UDIMM ;
  • Capacité: 2 Go/4 Go/8 Go ;
  • Fréquence: 1333/1600MHz ;
  • Tension: 1,35/1,5 V ;
  • Plage de température de fonctionnement: 0-75°C;
  • Plage de température de stockage: -40-75°C;


  • Mémoire DDR3 TOROSUS série UDIMM

 

  • Améliorez les performances de l’ordinateur- Maximisez votre mémoire pour dynamiser les jeux, le multitâche et le rendu.
 
  • MieuxAînéSolution de mise à niveau du PC - La mémoire de bureau RAM DDR3 offre une solution rentable pour la mise à niveau des systèmes de bureau plus anciens, offrant un équilibre entre performances et prix abordable.
 
  • Capacités accrues -La disponibilité des TOROSUSLa mémoire DDR3 de différentes capacités permet aux utilisateurs d’adapter la configuration de la mémoire de leur système pour répondre à leurs besoins spécifiques et à leurs contraintes budgétaires.
 
  • QualitéUnAssurance - La mémoire DDR TOROSUS intègre une conception de carte PCB à 6 couches pour garantir à la fois la stabilité et la transmission haute performance. De plus, il intègre une technologie Nor Flash de niveau A de premier ordre pour garantir une qualité et une compatibilité supérieures du produit.
 
  • Fournisseur de mémoire de bureau de confiance-TOROSUS utilise des normes d’inspection rigoureuses à l’arrivée, des processus de production professionnels et des méthodes de gestion de la qualité strictes pour fournir une gamme de produits de mémoire DDR conçus pour une utilisation durable. Nos produits bénéficient d’une large compatibilité, d’une stabilité exceptionnelle, de performances de lecture-écriture supérieures et d’une intégration transparente avec les plates-formes informatiques courantes.
SPÉCIFICATIONS DE LA RAM DE LA SÉRIE TOROSUS DDR3 UDIMM
Série DDR3 UDIMM Seires
Marque TOROSUS
Capacité 2 Go 4 Go 8 Go
Numéro de modèle DDR3-PC-2GB DDR3-PC-4GB DDR3-PC-8GB
EAN 6935515102458 6935515102649 6935515102663
Vitesse / fréquence de la mémoire 1333 MHz 1600 MHz 1600 MHz
Bande passante mémoire (Go/s) 10700 12800 12800
Rang (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1RX8 1Rx8/2RX8 2Rx8
Latence CAS CL 9-9-9-24 Référence CL11-11-11-28 Référence CL11-11-11-28
Tension de fonctionnement 1,35 V/1,5 1,35 V/1,5 1,35 V/1,5
Non. du circuit intégré de mémoire 8 8/16 8/16
Consommation électrique 6 W max.
Contrôleur IC Aucun
Prise en charge de l’overclocking (OUI / NON) NON
ECC (Code de correction d’erreur) (OUI/NON) NON
Poids net (g) 17 grammes
Poids brut (g) 34 grammes
Nombre de broches 240
Prise en charge OEM/ODM OUI
Dissipateur thermique / Dissipateur de chaleur NON
Facteur de forme UDIMM
Type de mémoire de l’ordinateur (DRAM/SDRAM) DRAM
Température de fonctionnement 0~70°C
Température de stockage -40~85°C
Garantie 3 ans
Non. Nombre de canaux de mémoire (simple/double) Célibataire
Dimensions du produit (L x P x H) en mm 133 x 30 x 3 mm
Mémoire tamponnée / non tamponnée Mémoire sans tampon
Marque de circuit intégré de mémoire Micron/Samsung/Sk Hynix

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