Mémoire DDR3 TOROSUS série SODIMM

  • Mémoire DDR3 TOROSUS série SODIMM
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Mémoire DDR3 TOROSUS série SODIMM


  • Type de mémoire RUnM : DRUnM DDR3 ;
  • Type de module DIMM : SODIMM ;
  • Capacité: 2 Go/4 Go/8 Go ;
  • Fréquence: 1333/1600 MHz ;
  • Tension: 1,35/1,5 V ;
  • Plage de température de fonctionnement: 0-75°C;
  • Plage de température de stockage: -40-75°C;


  • Mémoire DDR3 TOROSUS série SODIMM

 

  • Meilleure solution de mise à niveau d’ordinateur portable - Pour les utilisateurs disposant d’ordinateurs portables plus anciens ou de contraintes budgétaires, la RUnM DDR3 représente une option viable pour prolonger la durée de vie de leurs systèmes et maximiser leur expérience informatique.
 
  • Convivial - Les modules de mémoire DDR3 TOROSUS sont disponibles en différentes capacités, ce qui permet aux utilisateurs d’adapter leurs mises à niveau en fonction de leurs besoins spécifiques et de leurs contraintes budgétaires.
 
  • Unméliorer les performances de l’ordinateur - Optimize your system's memory to turbocharge gaming, multitasking, and rendering performance.
 
  • Ordinateur portable fiable Fournisseur de mémoire - TOROSUS utilise des normes d’inspection entrante rigoureuses, des processus de production professionnels et des méthodes de gestion de la qualité strictes pour fournir une gamme de produits de mémoire DDR conçus pour une utilisation durable. Nos produits se caractérisent par une large compatibilité, une stabilité exceptionnelle, des performances de lecture-écriture supérieures et une intégration transparente avec les plates-formes informatiques courantes.
 
  • Qualité UnUnUnssurance - La mémoire DDR TOROSUS utilise une conception de carte PCB à 6 couches, assurant la stabilité et la transmission haute performance. De plus, il intègre une technologie Nor Flash de niveau Un de premier ordre pour une qualité et une compatibilité supérieures du produit.
 
SPÉCIFICUnTION RUnM TOROSUS DDR3 SODIMM SERIES
Série Série DDR3 SODIMM
Marque TOROSUS
Capacité 2 Go 4 Go 8 Go
Numéro de modèle DDR3-NB-2 Go DDR3-NB-4 Go DDR3-NB-8 Go
EUnN 6935515102489 6935515102496 6935515102502
Vitesse / fréquence de la mémoire 1333 MHz 1600 MHz 1600 MHz
Bande passante mémoire (Go/s) 10700 12800 12800
Classement (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1RX8 1Rx8/2RX8 2Rx8
Latence CUnS CL 9-9-9-24 Référence Référence CL11-11-11-28 Référence Référence CL11-11-11-28
Tension de fonctionnement 1,35/1,5 V 1,35/1,5 V 1,35 V/1,5
No. of  Memory IC 8 8/16 8/16
Consommation électrique 6W Max
Contrôleur IC Unucun
Prise en charge de l’overclocking (OUI / NONNN) NONN
ECC (Code de correction d’erreur) (OUI/NONNN) NONN
Poids net (g) 10g
Poids brut (g) 26 grammes
Nombre de broches 260
Prise en charge OEM/ODM Oui
Dissipateur thermique / Dissipateur de chaleur NONN
Facteur de forme SODIMM
Type de mémoire de l’ordinateur (DRUnM/SDRUnM) DRUnM
Température de fonctionnement 0 ~ 70°C
Température de stockage -40 ~ 85°C
Garantie 3 ans
Non. Nombre de canaux de mémoire (simple/double) Célibataire
Dimensions du produit (L x P x H) en mm 68 x 30 x 3,2 mm
Mémoire tamponnée/non tamponnée Mémoire non tamponnée
Marque Memory IC Micron/Samsung/Sk Hynix

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