TOROSUS DDR4 SODIMM

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TOROSUS DDR4 SODIMM


  • Interface : DDR4
  • Type de barrette DIMM : SODIMM
  • Fréquence : 2400/2666/3200MHz
  • Capacités variées : 4 Go/8 Go/16 Go/32 Go
  • Température de fonctionnement : 0-75°C
  • Température de stockage : -40-75°C
  • Tension : 1,2 V


  • TOROSUS DDR4 SODIMM
 
  • Amélioration des performances : la mémoire DDR4 pour ordinateur portable offre des taux de transfert de données et une efficacité améliorés par rapport à la mémoire DDR3, ce qui améliore les performances globales du système.
 
  • Multitâche amélioré : Avec des capacités élevées et des fréquences rapides, la mémoire efficace pour ordinateur portable TOROSUS permet un multitâche plus fluide, permettant aux utilisateurs de gérer facilement des applications exigeantes, que ce soit pour le travail ou le divertissement.
 
  • Fonctionnement économe en énergie : fonctionnant à une basse tension de 1,2 V, la mémoire SODIMM TOROSUS DDR4 favorise l’efficacité énergétique, prolonge la durée de vie de la batterie et réduit la consommation d’énergie pour une utilisation prolongée en déplacement.
 
  • Résistance à la température : Conçue pour résister à des températures de fonctionnement de 0 à 75 °C et à des températures de stockage de -40 à 75 °C, la mémoire DDR4 pour ordinateur portable TOROSUS garantit des performances fiables, même dans des environnements difficiles.
 
  • Fournisseur de mémoire pour ordinateur portable : Les modules de mémoire TOROSUS adoptent une excellente mémoire Nor Flash de qualité A pour assurer la qualité et la compatibilité du produit.
Série Série SODIMM DDR4
Marque TOROSUS
Capacité 4 Go 8 Go 16 Go 32 Go
Numéro de modèle DDR4-NB-4 Go DDR4-NB-8 Go DDR4-NB-16 Go DDR4-NB-32 Go
Vitesse / Fréquence de la mémoire 2400/2666MHz 2400/2666/3200MHz 2666/3200MHz 2666/3200MHz
Bande passante mémoire (Go/s) 19200/21300 19200/21300/25600 21300/25600 21300/25600
Rang (1Tx8/2Rx8/8Tx4) 1Tx8 1Tx8 2Tx8 2Tx8
Latence CAS Réf. CL17-17-17-39 CL19-19-19-43 CL19-19-19-43  
Non. de Memory IC 4//8//16
Tension de fonctionnement 1,2 V
Consommation d’énergie 3W
Poids net (g) 15 grammes
Poids brut (g) 40 grammes
Circuit intégré de contrôleur NON
Prise en charge de l’overclocking (OUI / NON) NON
Dissipateur de chaleur / Dissipateur de chaleur NON
ECC (code de correction d’erreur) (OUI/NON) NON
Nombre de broches 260
Prise en charge d’OEM/ODM OUI
Type de mémoire de l’ordinateur (DRAM/SDRAM) DRAM
Température de fonctionnement 0 à 70 °C
Température de stockage -40 ~ 85 °C
Garantie 3 ans
Facteur de forme SODIMM (en anglais seulement)
Non. Nombre de canaux de mémoire (simple/double) (Simple/Double)
Dimensions du produit (L x P x H) en mm 70x30x3.5mm
Mémoire tamponnée / non tamponnée Mémoire sans tampon
Marque de circuit intégré de mémoire Micron/Samsung/Sk Hynix

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